Fe3Al/Al2O3纳微米复合材料的界面电子结构研究

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Fe3Al/Al2O3纳微米复合材料的界面电子结构研究

篇1:Fe3Al/Al2O3纳微米复合材料的界面电子结构研究

Fe3Al/Al2O3纳微米复合材料的界面电子结构研究

利用EET理论计算了Al2O3与Fe3Al的'价电子结构及其部分晶面的电子密度.结果表明,两相界面的电子密度差Δρ>10%,界面有较大的应力.两相以一定方式取向时,可增强结构的稳定性.

作 者:尹衍升 龚红宇 谭训彦 范润华 甄玉花 陈云 张银燕  作者单位:山东大学材料液态结构与遗传性教育部重点实验室,工程陶瓷山东省重点实验室,济南,250061 刊 名:人工晶体学报  ISTIC EI PKU英文刊名:JOURNAL OF SYNTHETIC CRYSTALS 年,卷(期): 32(2) 分类号:O612.3 关键词:界面   Fe3Al/Al2O3   复合材料   电子结构  

篇2:V2O5复合薄膜材料的电子结构研究

V2O5复合薄膜材料的电子结构研究

采用自洽场离散变分Xα方法对纯V2O5及V2O5复合薄膜不同状态的O1s及V2p轨道电子结合能和键强度等进行了研究. 结果表明, V2O5结构中存在4种状态的氧和3种状态的钒, 聚合物(PEO)或聚合物(PEO)-Li+嵌入V2O5结构主要存在于层间的`位置, 与双键氧产生弱的键合作用, 导致双键氧与五价钒的含量降低, 三键氧与三价、四价钒的含量增加;纯V2O5层间嵌入的Li+与周围氧的共价键与静电力都非常明显, V2O5层间引入PEO后再嵌入Li+, Li+与周围氧的共价键与静电力都变的非常微弱, 说明PEO嵌入V2O5层间使Li+具有很好的注入/脱出可逆性.

作 者:周静 陈文 徐庆 闵新民  作者单位:周静(武汉理工大学材料科学与工程学院,武汉,430070)

陈文,徐庆(武汉理工大学材料科学与工程学院,武汉,430070;武汉理工大学材料复合新技术国家重点实验室,武汉,430070)

闵新民(武汉理工大学材料复合新技术国家重点实验室,武汉,430070)

刊 名:硅酸盐学报  ISTIC EI PKU英文刊名:JOURNAL OF THE CHINESE CERAMIC SOCIETY 年,卷(期): 30(2) 分类号:O641 关键词:五氧化二钒   复合薄膜   结合能   键强度   电子结构  

篇3:KPbTlO复合氧化物的合成和电子结构的XPS研究

KPbTlO复合氧化物的合成和电子结构的XPS研究

用熔盐阳极电沉积法合成了导电的复合氧化物KPbTlO晶体.这些晶体具有纳米尺寸层状结构.用XPS对其进行了表征,并与相关的化合物进行了比较.实验表明,氧化物中的Pb和Tl都以高价态的单一价态存在,但电子结合能比相应的非导电低价化合物的低.该文用原子外弛豫效应解释了复合氧化物中的Pb和Tl的结合能的`反常现象.讨论了它们的价电子结构与导电性的关系.

作 者:邱丽美 刘芬 赵良仲  作者单位:中国科学院化学研究所,北京100080 刊 名:物理化学学报  ISTIC SCI PKU英文刊名:ACTA PHYSICO-CHIMICA SINICA 年,卷(期):2002 18(7) 分类号:O641 关键词:KPbTlO   X射线光电子能谱(XPS)   电子结构  

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