基于graphene条带的硅纳米结构

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基于graphene条带的硅纳米结构

篇1:基于graphene条带的硅纳米结构

基于graphene条带的硅纳米结构

采用分子动力学模拟方法研究了graphene条带上生长硅纳米结构的过程,分析了不同温度下硅原子在graphene条带边滑生成的新型纳米结构.研究表明,随机分布的硅原子吸附到锯齿型graphene条带边沿在不同的温度T下可生成不同类型的硅纳米结构:300 K≤T< K时形成无规则的团簇,2000 K≤T≤2800 K时形成单原子链结构,2800K<T<3900 K时形成含缺陷的硅链结构,T≥3900 K时硅原子逐渐替代条带边沿的`碳原子直至graphene条带破坏.而硅原子吸附纠扶手椅型graphene条带边沿在300 K≤T<3000 K内仅能形成非链状的不定型的硅纳米结构.

作 者:李爱华 张凯旺 孟利军 李俊 刘文亮 钟建新  作者单位:湘潭大学材料与光电物理学院,湘潭,411105 刊 名:物理学报  ISTIC SCI PKU英文刊名:ACTA PHYSICA SINICA 年,卷(期): 57(7) 分类号: 关键词:graphene   硅   纳米结构   分子动力学模拟  

篇2:掺磷纳米硅薄膜的微结构

掺磷纳米硅薄膜的微结构

采用喇曼(Raman)散射谱、高分辨率电子显微镜(HRTEM)和原子力显微镜(AFM)对掺磷纳米硅薄膜的微结构进行了分析,并对纳米硅薄膜的传导机制进行了探讨.结果表明:掺磷纳米硅薄膜由尺寸为2~4*#nm的晶粒和2~3个原子层厚的非晶界面构成,计算得到薄膜的`晶态比为40%~55%.与本征纳米硅薄膜相比,掺磷纳米硅薄膜晶粒尺寸和晶态比没有明显变化,电导率却提高了2个数量级.随着掺磷浓度增加,纳米硅薄膜的晶粒尺寸、晶态比及电导率逐渐增大.AFM观察表明掺磷纳米硅薄膜由尺寸介于15~20*#nm的团簇构成,团簇排列具有带状特征.

作 者:于晓梅 王金良 江兴流 王天民  作者单位:北京航空航天大学,理学院 刊 名:北京航空航天大学学报  ISTIC EI PKU英文刊名:JOURNAL OF BEIJING UNIVERSITY OF AERONAUTICS AND ASTRONAUTICS 年,卷(期): 28(5) 分类号:O484.1 关键词:硅薄膜   晶粒   显微镜   团簇  

篇3:低能电子束制备硅基纳米薄膜微结构研究

低能电子束制备硅基纳米薄膜微结构研究

本文提出了一种新颖的结合自组装技术和电子束直写曝光以及选择性化学沉积制备图案化薄膜方法.利用X-射线光电子能谱(XPS),扫描电子显微镜(SEM),透射电子显微镜(TEM)紫外可见光谱仪(Analytic Jena AG)进行了表征.结果表明该方法取得了选择性较好的图案化金薄膜微结构图形.文中对胶体金纳米颗粒尺寸的选择以及金薄膜图案的粘附性能也进行了探讨.该方法有望应用于微/纳电子工业中.

作 者:陈炯枢 陈学康 刘相 刘建喜 CHEN Jiong-shu CHEN Xue-kang LIU Xiang LIU Jian-xi  作者单位:陈炯枢,陈学康,CHEN Jiong-shu,CHEN Xue-kang(兰州物理研究所,表面工程技术国家级重点实验室,甘肃,兰州,730000)

刘相,刘建喜,LIU Xiang,LIU Jian-xi(中科院兰州化学物理研究所,固体润滑国家重点实验室,甘肃,兰州,730000)

刊 名:真空  ISTIC PKU英文刊名:VACUUM 年,卷(期): 44(6) 分类号:O484 TB43 关键词:电子束直写曝光   选择性化学沉积   图案化  

篇4:纳米硅镶嵌复合薄膜退火前后的微结构及发光特性研究

纳米硅镶嵌复合薄膜退火前后的微结构及发光特性研究

采用减压化学气相沉积方法,依靠纯N2稀释的SiH4气体的热分解反应,在玻璃表面生长了纳米硅镶嵌的复合薄膜.实验研究了退火前后薄膜样品的结晶状态和光致发光特性.结果表明,未退火样品的'光致发光特性随沉积温度升高反而减弱.退火温度Ta>600℃时,晶化趋势明显,Ta<600℃时,退火温度对晶化的贡献不大,但提高退火温度或延长退火时间可以增加PL强度.同时在退火样品中发现Si-Ox的单晶结构.通过Raman、PL、TEM的分析比较,认为在退火前后分别有两种不同的发光机制起主导作用.

作 者: 作者单位: 刊 名:真空科学与技术学报  ISTIC EI PKU英文刊名:JOURNAL OF VACUUM SCIENCE AND TECHNOLOGY 年,卷(期):2004 24(z1) 分类号:O484.4 关键词:纳米硅   化学气相沉积   退火   光致发光  

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